مقاله COMPARISON OF WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS FOR POWER APPLIC
نوشته شده به وسیله ی ali در تاریخ 95/11/29:: 6:38 صبح

مقاله COMPARISON OF WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS FOR POWER APPLICATIONS دارای 10 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله COMPARISON OF WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS FOR POWER APPLICATIONS کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله COMPARISON OF WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS FOR POWER APPLICATIONS،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله COMPARISON OF WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS FOR POWER APPLICATIONS :
سال انتشار: 1384
محل انتشار: هشتمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق
تعداد صفحات: 10
چکیده:
Recent development advances have allowed have allowed silicon (Si) semiconductor technology to approach the theoretical limits of the Si material; however, power device requirements formany applications are at a point that the present Si-based power devices can not handle. The requirements include higher blockingvoltage, switching frequencies, efficiency, and reliability. To overcome these limitations,new semiconductor materials for power device applications are needed. For high power requirements, wide band gap semiconductors like silicon carbide (SiC) , gallium nitride (GaN) , and diamond with their superior electrical properties are likely candidates to replace in the near future. This paper compares all the aforementioned wide band gap semiconductors with respect to their promise and applicability for power applications and predicts the futureof power device semiconductor materials.

کلمات کلیدی :